A evolução do mundo das memórias de acordo com o CEO da SK HYNIX

No discurso de abertura do simpósio realizado em 22 de março de 2021 no IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers), o CEO da sul-coreana SK Hynix, Seok-Hee Lee, ilustrou a sua visão sobre a evolução tecnológica nos sectores da memória DRAM e NAND. Como parte da DRAM, a tecnologia ultravioleta extrema (EUV) permitirá processos de menos de 10 nanómetros, e teremos memórias NAND compostas por mais de 600 camadas de células. A convergência entre a memória e a lógica também é hipotetizada, com algumas funções computacionais a mudar de CPU para DRAM.

SITE OFICIAL – https://news.skhynix.com/sk-hynix-ceo-seok-hee-lee-talks-about-the-future-of-memory-semiconductor-and-sk-hynixs-management-strategy/

VÍDEO OFICIAL – https://www.youtube.com/watch?v=uldHpwtmFLY&t=3s