Samsung lancia le eUFS 2.1 da 1TB per i propri smartphone

Capacità di archiviazione impressionante con prestazioni superiori a quelle di un SSD SATA in lettura sul futuro Galaxy S10 Plus.

di Gian Paolo Collalto

Samsung lancia le eUFS 2.1 da 1TB per i propri smartphone 1

Samsung ha svelato i nuovi chip di memoria eUFS da 1TB che, probabilmente, vedremo sui nuovi Galaxy S10 Plus che saranno presentati il prossimo 20 di febbraio.

È assodato che i futuri smartphone arriveranno sul mercato con più spazio di archiviazione e Samsung ha voluto imprimere una forte accelerazione presentando le Universal Flash Storage (eUFS 2.1) in grado di raggiungere una capacità pari a 1TB ed offrire, tra le altre cose, prestazioni impensabili sino a poco tempo fa, ovvero 1000 MB/s in lettura, circa il doppio di quanto offerto da un attuale SSD SATA, e 260 MB/s in scrittura.

Ciò significa, secondo Samsung, che i video Full HD da 5GB possono essere scaricati su un SSD NVMe in soli cinque secondi, ovvero in un tempo 10 volte inferiore rispetto ad una tipica scheda microSD ad alte prestazioni.

Come se non bastasse, la velocità di lettura random è aumentata fino al 38% rispetto alla versione UFS da 512GB del Galaxy 9, con un incremento fino a 58.000 IOPS, mentre le scritture random arrivano a toccare i 50.000 IOPS.

 
Memory Sequential
Read Speed
Sequential
Write Speed
Random
Read Speed
Random
Write Speed
Samsung
1TB eUFS 2.1
(Jan. 2019)
1000 MB/s 260 MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
Samsung
512GB eUFS 2.1
(Nov. 2017)
860 MB/s 255 MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung
eUFS 2.1 for automotive
(Sept. 2017)
850 MB/s 150 MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
Samsung
256GB UFS Card
(July 2016)
530 MB/s 170 MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
Samsung
256GB eUFS 2.0
(Feb. 2016)
850 MB/s 260 MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung
128GB eUFS 2.0
(Jan. 2015)
350 MB/s 150 MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250 MB/s 125 MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250 MB/s 90 MB/s 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140 MB/s 50 MB/s 7,000 IOPS 2,000 IOPS

 

Samsung prevede di avviare la produzione massiva dei nuovi chip nello stabilimento di Pyeongtaek in Corea entro la prima metà del 2019, così da anticipare le richieste del mercato.I chip da 1TB hanno le stesse dimensioni di quelli da 512GB (11,5x13mm), un risultato reso possibile da una struttura a 16 layers da 512Gb di avanzate V-NAND in abbinamento ad un nuovo controller proprietario.