En el discurso de apertura del simposio celebrado el 22 de marzo de 2021 en el IEEE (Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos), el CEO de Corea del Sur SK Hynix, Seok-Hee Lee, ilustró su visión sobre la evolución tecnológica en los campos de DRAM y Memorias NAND. En el contexto de las DRAM, la tecnología ultravioleta extrema (EUV) permitirá procesos de menos de 10 nanómetros, y tendremos memorias NAND compuestas por más de 600 capas de células. También se asume la convergencia entre la memoria y la lógica, con algunas funciones computacionales que van de la CPU a la DRAM.
SITIO OFICIAL – https://news.skhynix.com/sk-hynix-ceo-seok-hee-lee-talks-about-the-future-of-memory-semiconductor-and-sk-hynixs-management-strategy/
VIDEO OFICIAL – https://www.youtube.com/watch?v=uldHpwtmFLY&t=3s