La evolución del mundo de los recuerdos según el CEO de SK HYNIX

En el discurso de apertura del simposio celebrado el 22 de marzo de 2021 en el IEEE (Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos), el CEO de Corea del Sur SK Hynix, Seok-Hee Lee, ilustró su visión sobre la evolución tecnológica en los campos de DRAM y Memorias NAND. En el contexto de las DRAM, la tecnología ultravioleta extrema (EUV) permitirá procesos de menos de 10 nanómetros, y tendremos memorias NAND compuestas por más de 600 capas de células. También se asume la convergencia entre la memoria y la lógica, con algunas funciones computacionales que van de la CPU a la DRAM.

SITIO OFICIAL – https://news.skhynix.com/sk-hynix-ceo-seok-hee-lee-talks-about-the-future-of-memory-semiconductor-and-sk-hynixs-management-strategy/

VIDEO OFICIAL – https://www.youtube.com/watch?v=uldHpwtmFLY&t=3s