L’evoluzione del mondo delle memorie secondo il CEO di SK HYNIX

Nel discorso di apertura del simposio tenutosi il 22 Marzo 2021 all’IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) il CEO della sudcoreana SK Hynix, Seok-Hee Lee, ha illustrato la sua visione sull’evoluzione tecnologica nei settori delle memorie DRAM e NAND. Nell’ambito delle DRAM la tecnologia ad ultravioletti estremi (EUV) consentirà processi inferiori ai 10 nanometri, e avremo memorie NAND composte da oltre 600 strati (layer) di celle. Si ipotizza anche la convergenza tra memoria e logica, con alcune funzioni di calcolo che passeranno dalla CPU alla DRAM.

SITO UFFICIALE – https://news.skhynix.com/sk-hynix-ceo-seok-hee-lee-talks-about-the-future-of-memory-semiconductor-and-sk-hynixs-management-strategy/

VIDEO UFFICIALE – https://www.youtube.com/watch?v=uldHpwtmFLY&t=3s