Tous les fabricants de mémoire sont engagés dans la transition de la DDR4 à la DDR5, et les annonces sont de plus en plus fréquentes. Samsung a dévoilé un module de mémoire DDR5 de 512 Go basé sur une structure TSV à 8 couches et un matériau HKMG (High-K Metal Gate) qui réduit la consommation d’énergie de 13% tout en doublant les performances par rapport à la DDR4. Voici les liens vers quelques articles parus sur les principaux sites technologiques italiens et étrangers:
ITALIE – https://www.nexthardware.com/news/samsung-annuncia-i-moduli-ddr5-da-512gb-9338