Samsung annuncia i moduli DDR5 da 512GB

Tutti i produttori di memorie sono impegnati nella transizione da DDR4 a DDR5 e gli annunci di susseguono sempre più frequenti. Samsung ha svelato un modulo di memoria DDR5 da 512 GB basato su una struttura TSV a 8 layer e un materiale HKMG (High-K Metal Gate) che riduce i consumi del 13% raddoppiando, al tempo stesso, le prestazioni rispetto alle DDR4. Ecco qui di seguito i link ad alcuni articoli apparsi sui principali siti di tecnologia italiani ed esteri:

SITO UFFICIALE – https://news.samsung.com/global/samsung-develops-industrys-first-hkmg-based-ddr5-memory-ideal-for-bandwidth-intensive-advanced-computing-applications

ITALIA – https://www.hwupgrade.it/news/memorie/samsung-ddr5-la-piu-avanzata-512-gb-e-velocita-vertiginose-grazie-a-un-cambio-di-materiale_96481.html

ITALIA – https://www.nexthardware.com/news/samsung-annuncia-i-moduli-ddr5-da-512gb-9338