Todos los fabricantes de memorias están comprometidos con la transición de DDR4 a DDR5, y los anuncios son cada vez más frecuentes. Samsung ha presentado un módulo de memoria DDR5 de 512 GB basado en una estructura TSV de 8 capas y material HKMG (High-K Metal Gate) que reduce el consumo de energía en un 13% y duplica el rendimiento en comparación con DDR4. Aquí están los enlaces a algunos artículos que han aparecido en los principales sitios de tecnología italianos y extranjeros:
ITALIA – https://www.nexthardware.com/news/samsung-annuncia-i-moduli-ddr5-da-512gb-9338