Samsung anuncia módulos DDR5 de 512 GB

Todos os fabricantes de memória estão envolvidos na transição de DDR4 para DDR5, e os anúncios são cada vez mais frequentes. A Samsung lançou um módulo de memória DDR5 de 512 GB baseado em uma estrutura TSV de 8 camadas e material HKMG (High-K Metal Gate) que reduz o consumo de energia em 13% enquanto dobra o desempenho em comparação com DDR4. Aqui estão os links para alguns artigos que apareceram nos principais sites de tecnologia italianos e estrangeiros:

SITE OFICIAL – https://news.samsung.com/global/samsung-develops-industrys-first-hkmg-based-ddr5-memory-ideal-for-bandwidth-intensive-advanced-computing-applications

ITÁLIAhttps://www.hwupgrade.it/news/memorie/samsung-ddr5-la-piu-avanzata-512-gb-e-velocita-vertiginose-grazie-a-un-cambio-di-materiale_96481.html

ITÁLIAhttps://www.nexthardware.com/news/samsung-annuncia-i-moduli-ddr5-da-512gb-9338