Todos os fabricantes de memória estão envolvidos na transição de DDR4 para DDR5, e os anúncios estão a tornar-se cada vez mais frequentes. A Samsung revelou um módulo de memória DDR5 de 512GB baseado numa estrutura de TSV de 8 camadas e material de portão metálico de alta k (HKMG) que reduz o consumo em 13% enquanto duplica o desempenho em comparação com o DDR4. Aqui estão as ligações a alguns artigos que apareceram nos principais sites de tecnologia italiana e estrangeira:
ITÁLIA – https://www.nexthardware.com/news/samsung-annuncia-i-moduli-ddr5-da-512gb-9338