Alle Speicherhersteller sind am Übergang von DDR4 zu DDR5 beteiligt, und Ankündigungen werden immer häufiger. Samsung hat ein 512 GB DDR5-Speichermodul vorgestellt, das auf einer 8-Lagen-TSV-Struktur und HKMG-Material (High-K Metal Gate) basiert und den Stromverbrauch um 13% reduziert und gleichzeitig die Leistung im Vergleich zu DDR4 verdoppelt. Hier sind die Links zu einigen Artikeln, die auf den wichtigsten italienischen und ausländischen Technologieseiten erschienen sind:
OFFIZIELLE SEITE – https://news.samsung.com/global/samsung-develops-industrys-first-hkmg-based-ddr5-memory-ideal-for-bandwidth-intensive-advanced-computing-applications
ITALIEN – https://www.nexthardware.com/news/samsung-annuncia-i-moduli-ddr5-da-512gb-9338